- 专利标题: 一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法
- 专利标题(英): Image processing method for apparent defect detection of thin-film capacitor
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申请号: CN201410659951.X申请日: 2014-11-18
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公开(公告)号: CN104359920A公开(公告)日: 2015-02-18
- 发明人: 杨宇翔 , 高明煜 , 刘秀 , 严志超 , 曾毓 , 黄继业 , 何志伟
- 申请人: 杭州电子科技大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 杜军
- 主分类号: G01N21/95
- IPC分类号: G01N21/95 ; G06T7/00
摘要:
本发明涉及一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法。目前生产商在制造薄膜电容过程中,由于工艺原因电容表面会出现凹凸不平、毛刺、留白、边缘突起等缺陷。传统方法采用人工目测对电容表面缺陷进行检测,其检测过程劳动强度大而且效率低。本发明首先利用目标前景提取剔除不必要的背景,通过水平垂直投影得到目标电容区域,然后进行边缘检测与梯度检测。本发明的复杂度低,运行速度快,可以满足生产线的实时检测需要,具有适应性强,检测精度高的优点。
公开/授权文献
- CN104359920B 一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法 公开/授权日:2017-01-25