本发明是一种SOI晶片的制造方法，其具有以下工序：于至少整个基底晶片的表面上形成绝缘膜，对于以离子注入层为界来剥离接合晶片之前的贴合晶片，一边保护背面的绝缘膜，所述背面位于基底晶片的贴合面的相反侧，一边使该贴合晶片接触可溶解绝缘膜的液体、或暴露于可溶解绝缘膜的气体中，由此，自贴合晶片的外周端向中心方向，蚀刻位于接合晶片与基底晶片之间的绝缘膜。由此，可提供一种SOI晶片的制造方法，当在基底晶片上形成绝缘膜并进行贴合时，可控制平台宽度，防止SOI岛的发生，同时可抑制SOI晶片的翘曲。