发明授权
- 专利标题: 一种真空离子镀膜设备的磁场结构
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申请号: CN201410730485.X申请日: 2014-12-05
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公开(公告)号: CN104404455B公开(公告)日: 2017-01-18
- 发明人: 刘野 , 张绪跃 , 刘晓华
- 申请人: 大连维钛克科技股份有限公司
- 申请人地址: 辽宁省大连市甘井子区大连湾振兴路200号
- 专利权人: 大连维钛克科技股份有限公司
- 当前专利权人: 大连威钛克纳米科技有限公司
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市甘井子区大连湾振兴路200号
- 主分类号: C23C14/32
- IPC分类号: C23C14/32
摘要:
本发明公开了一种真空离子镀膜设备的新型磁场结构,包括靶座、磁铁座和内设的冷却装置,所述靶座顶端设有用于容纳固定靶材的靶材凹槽,靶材两端均设有突出辅助阳极,靶材底部安装于阴极体凹槽内;所述阴极体与铝板之间设有永磁体,且永磁体紧贴于铝板顶部表面;靶座底部通过螺纹与支架旋接;所述铝板下方设置一带有线圈护罩并由线圈骨架支撑的电磁线圈;所述冷却装置为固定于弧离子镀膜装置中心的水道,其中设置了电磁线圈和永磁体或碳素钢共同对弧靶表面磁场产生作用,调整极为方便,产生的磁场形状较好,可以有效提高靶材烧蚀效率,改善成膜质量。
公开/授权文献
- CN104404455A 一种真空离子镀膜设备的新型磁场结构 公开/授权日:2015-03-11
IPC分类: