发明授权
CN104409553B 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法
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申请号： CN201410612819.3申请日： 2014-11-04
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公开(公告)号： CN104409553B公开(公告)日： 2017-09-08
- 发明人: 王科范 , 张光彪 , 丁丽 , 刘孔 , 曲胜春 , 王占国
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 曹玲柱
- 主分类号： H01L31/077
- IPC分类号： H01L31/077 ; H01L31/0312 ; H01L31/18
摘要：
本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。
公开/授权文献
- CN104409553A 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法 公开/授权日：2015-03-11