- 专利标题： 一种表面负载氧化物纳米有序阵列的陶瓷透氧膜的制备方法
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申请号： CN201410706227.8申请日： 2014-11-27
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公开(公告)号： CN104437113B公开(公告)日： 2016-07-06
- 发明人: 程继贵 , 李世松 , 李培培 , 孙文周 , 张旭晨 , 叶楠敏 , 詹海林
- 申请人： 合肥工业大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 专利权人： 合肥工业大学
- 当前专利权人： 黄山科创中心有限责任公司
- 当前专利权人地址： 245000 安徽省黄山市黄山高新技术产业开发区梅林大道59号黄山未来科技城
- 代理机构： 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- 代理商 何梅生
- 主分类号： B01D71/02
- IPC分类号： B01D71/02 ; B01D67/00 ; B01D53/22 ; C01B13/02 ; B01J23/75
摘要：
本发明公开了一种表面负载氧化物纳米有序阵列的陶瓷透氧膜的制备方法，其特征在于：将陶瓷透氧膜试样置于含无机盐溶液中，经高温处理获得负载有纳米有序阵列前驱体的陶瓷透氧膜，然后对前驱体高温分解，即得表面负载氧化物纳米有序阵列的陶瓷透氧膜。本发明的制备方法简单，所制备的陶瓷透氧膜具有较高的透氧速率和较好的稳定性。
公开/授权文献
- CN104437113A 一种表面负载氧化物纳米有序阵列的陶瓷透氧膜的制备方法 公开/授权日：2015-03-25
