Invention Grant
- Patent Title: 单层的电极结构
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Application No.: CN201310438946.1Application Date: 2013-09-24
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Publication No.: CN104461100BPublication Date: 2019-08-27
- Inventor: 刘子维
- Applicant: 奕力科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹县竹北市台元二街1号10楼之1
- Assignee: 奕力科技股份有限公司
- Current Assignee: 奕力科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹县竹北市台元二街1号10楼之1
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 杨泽; 刘芳
- Main IPC: G06F3/041
- IPC: G06F3/041 ; G06F3/044
Abstract:
本发明提供一种单层的电极结构,包含:沿第一方向排列的多个第一电极串行、沿该第一方向排列的多个第二电极串行、以及沿该第一方向排列的多个第三电极。每一该第一电极串行包含沿第二方向排列的至少一第一电极。每一该第二电极串行包含沿该第二方向排列的多个第二电极,其中每一该第二电极至少相应于该至少一第一电极。每一该第三电极位于下列组合其中之一:两个该第一电极串行之间;两个该第二电极串行之间;以及一个该第一电极串行与一个该第二电极串行之间。
Public/Granted literature
- CN104461100A 单层的电极结构 Public/Granted day:2015-03-25
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