发明授权
CN104465744B 具有由氮化物半导体制成的缓冲层的半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具有由氮化物半导体制成的缓冲层的半导体器件
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申请号： CN201410427698.5申请日： 2014-08-27
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公开(公告)号： CN104465744B公开(公告)日： 2017-09-19
- 发明人: 石黑哲郎 , 小谷淳二 , 中村哲一
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 顾晋伟; 彭鲲鹏
- 优先权： 2013-194412 20130919 JP
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/335
摘要：
本发明公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。
公开/授权文献
- CN104465744A 具有由氮化物半导体制成的缓冲层的半导体器件 公开/授权日：2015-03-25
IPC分类:
