- 专利标题: 一种X波段缺陷地结构‑半模基片集成波导滤波器
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申请号: CN201310547844.3申请日: 2013-11-08
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公开(公告)号: CN104466316B公开(公告)日: 2017-07-21
- 发明人: 宋明清
- 申请人: 北京东方安高微电子科技有限公司
- 申请人地址: 北京市怀柔区北房镇福顺街3号3幢
- 专利权人: 北京东方安高微电子科技有限公司
- 当前专利权人: 北京东方安高微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市怀柔区北房镇福顺街3号3幢
- 主分类号: H01P1/203
- IPC分类号: H01P1/203
摘要:
本发明涉及一种X波段缺陷地结构‑半模基片集成波导滤波器,该滤波器包括:介质基片以及设置于介质基片上的金属贴片,其中,介质基片上设置有多个通孔,金属贴片包括位置相对的输入端口微带线、输出端口微带线、以及分别通过微带‑半模基片集成波导过渡金属线与输入端口微带线和输出端口微带线连接的半模基片集成波导,且半模基片集成波导具有多个单个缺陷地结构单元及嵌套缺陷地结构单元以及与介质基片的通孔相通的孔。本发明的有益效果为:通过在半模基片集成波导上形成缺陷地结构来作为基本单元,多级单元级联成X波段缺陷地结构‑半模基片集成波导滤波器。具有结构紧凑,易于大规模生产,成品率高,性能稳定且易于系统集成的特点。
公开/授权文献
- CN104466316A 一种2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器 公开/授权日:2015-03-25