Invention Grant
- Patent Title: 抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路
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Application No.: CN201410844181.6Application Date: 2014-12-30
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Publication No.: CN104466884BPublication Date: 2018-06-08
- Inventor: 王开
- Applicant: 无锡展芯微电子有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市无锡新区长江路7号34号地块科技园三区6000-A号房
- Assignee: 无锡展芯微电子有限公司
- Current Assignee: 无锡芯霖华科技有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市无锡新区长江路7号34号地块科技园三区6000-A号房
- Agency: 无锡市汇诚永信专利代理事务所
- Agent 张欢勇
- Main IPC: H02H1/04
- IPC: H02H1/04
Abstract:
本发明涉及集成电路设计领域,具体为一种可以抵御瞬间高脉冲电压、电流冲击的抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路,包括供电电路和基准偏置电路两部分,所述供电电路是由稳压二极管和高压瞬态泻放回路组成,电路中电压逐渐增大,当达到VD1+VD2+VD3的串联击穿电压时,电压继续增大,则功率管VN2开始导通,多余的电流将通过此功率管泻放,从而增强了电路抗冲击能力;基准偏置电路是由一个恒流器件及VN4、VN5、VN3、R4组成的电流电源共同组成。
Public/Granted literature
- CN104466884A 抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路 Public/Granted day:2015-03-25
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