发明授权
- 专利标题: 集成式二极管链功率MOS防静电保护结构
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申请号: CN201510008547.0申请日: 2015-01-08
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公开(公告)号: CN104505390B公开(公告)日: 2019-03-15
- 发明人: 赵建明 , 徐开凯 , 廖智 , 黄平 , 赵国 , 钟思翰 , 徐彭飞 , 胡兴微 , 蒋澎湃
- 申请人: 电子科技大学 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学,四川蓝彩电子科技有限公司,四川绿然电子科技有限公司,上海朕芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人: 电子科技大学,四川蓝彩电子科技有限公司,四川绿然电子科技有限公司,上海朕芯微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 石家庄科诚专利事务所
- 代理商 张红卫
- 主分类号: H01L27/02
- IPC分类号: H01L27/02
摘要:
本发明提供了一种集成式二极管链功率MOS防静电保护结构,它包括由若干个MOS单元一起构成的功率MOS结构,和由两组反向并联的二极管链构成的ESD保护结构,所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率MOS结构的栅极和源极两端;所述二极管链的开启电压大于功率MOS结构最大栅源工作电压,且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠,且充当ESD防护的二极管单元设于n‑外延上并且与MOS单元相隔离,使得制造工艺简单、结构稳定并且与MOS器件工艺相兼容。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构,适用于大功率、高电压条件下对器件进行保护工作。
公开/授权文献
- CN104505390A 集成式二极管链功率MOS防静电保护结构 公开/授权日:2015-04-08