发明授权
- 专利标题: 一种多孔氧化硅及其合成方法
-
申请号: CN201310503639.7申请日: 2013-10-24
-
公开(公告)号: CN104556067B公开(公告)日: 2017-05-17
- 发明人: 范峰 , 凌凤香 , 王少军 , 张会成 , 陈晓刚 , 杨春雁
- 申请人: 中国石油化工股份有限公司 , 中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
- 申请人地址: 北京市朝阳区朝阳门北大街22号;
- 专利权人: 中国石油化工股份有限公司,中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
- 当前专利权人: 中国石油化工股份有限公司,中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区朝阳门北大街22号;
- 主分类号: C01B33/18
- IPC分类号: C01B33/18
摘要:
本发明提供一种多孔氧化硅及其合成方法,本发明方法的合成步骤包括(1)将硅溶胶与蒸馏水混合,然后搅拌均匀;(2)在搅拌条件下,将无机碱加入到步骤(1)得到混合物中,调节体系pH值为10~14,然后对混合物进行干燥处理;(3)步骤(2)所得混合物进行焙烧、洗涤和干燥处理后即为多孔氧化硅。本发明制备多孔氧化硅的粒度为3~8μm,具有介孔分布特征,孔径的变化范围是5~400nm。本发明方法不使用昂贵的有机模板剂,操作步骤简单易行,生成成本低廉。
公开/授权文献
- CN104556067A 一种多孔氧化硅及其合成方法 公开/授权日:2015-04-29