发明公开
- 专利标题: 晶圆减薄方法
- 专利标题(英): Wafer thinning method
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申请号: CN201310504876.5申请日: 2013-10-23
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公开(公告)号: CN104576350A公开(公告)日: 2015-04-29
- 发明人: 陈怡骏 , 侯元琨 , 游宽结 , 华宇 , 彭文杰
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: H01L21/304
- IPC分类号: H01L21/304
摘要:
一种晶圆减薄方法,包括:提供基板及晶圆,所述晶圆具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧面,所述侧面呈弧线状;沿第一表面向第二表面方向切削部分厚度的侧面,使部分厚度侧面呈竖直状;将所述晶圆第一表面与所述基板固定;对所述晶圆的第二表面进行减薄。所述晶圆减薄方法的仅对晶圆的部分弧线状侧面进行切削,切削的部分呈竖直状,竖直状侧面与所述晶圆的第一表面相连,然后将晶圆第一表面与基板固定在一起,之后切削部分的弧线状侧面,减小了每片晶圆的切削厚度,从而提高了切削效率,提高工艺效率,每次切削过程中切削工具损耗减少,增加了切削工具使用次数,提高了切削工艺的使用寿命。
公开/授权文献
- CN104576350B 晶圆减薄方法 公开/授权日:2018-06-01
IPC分类: