本发明提供一种后栅工艺中伪栅器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，衬底上形成有栅介质层；在栅介质层上形成伪栅材料，伪栅材料上具有掩膜层；刻蚀掉部分的伪栅材料，且掩膜层下的伪栅材料的侧壁与掩膜层的侧壁具有夹角；以掩膜层为掩蔽，刻蚀伪栅材料，以形成伪栅极。由于在刻蚀掉部分伪栅材料后，掩膜层下的伪栅材料的侧壁与掩膜层的侧壁具有夹角，这样，在刻蚀形成伪栅极时，可以形成更为笔直的伪栅极，笔直的伪栅极利于后续工艺中进行填充重新形成替代栅，避免在替代栅中形成空洞，利于提高器件的性能。