- 专利标题: 一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器
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申请号: CN201510030089.0申请日: 2015-01-21
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公开(公告)号: CN104576805B公开(公告)日: 2016-07-06
- 发明人: 于清江 , 李晓超 , 蒋洞微 , 于翠玲 , 国凤云 , 王金忠
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 高媛
- 主分类号: H01L31/101
- IPC分类号: H01L31/101 ; H01L31/0304
摘要:
本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器,其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极,所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp?p?π?M?n异质结构,具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。
公开/授权文献
- CN104576805A 一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器 公开/授权日:2015-04-29