发明授权
- 专利标题： 沟槽型功率器件及其形成方法
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申请号： CN201310526417.7申请日： 2013-10-30
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公开(公告)号： CN104600106B公开(公告)日： 2017-05-17
- 发明人: 瞿学峰 , 石亮
- 申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州工业园区星华街333号
- 专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州工业园区星华街333号
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波
- 主分类号： H01L29/772
- IPC分类号： H01L29/772 ; H01L29/10 ; H01L21/335
摘要：
本发明提供一种沟槽型功率器件及其形成方法。该沟槽型功率器件包括：沟槽，形成在衬底中；第一氧化物层，在沟槽的底部以及侧壁的一部分上且与沟槽共形；第一栅电极层，在沟槽中以部分地填充沟槽；第二栅电极层，在第一栅电极层上以填充沟槽的剩余部分；电介质层，夹置在第一栅电极层与第二栅电极层之间且在沟槽的部分侧壁上；以及接触件，用于连接第一和第二多晶硅层。
公开/授权文献
- CN104600106A 沟槽型功率器件及其形成方法 公开/授权日：2015-05-06
IPC分类:
