本发明公开了一种提高磁性膜AMR的金属Ta成膜方法，包括步骤：步骤一，采用刻蚀工艺对基片进行处理；步骤二，在所述基片表面进行金属Ta的成膜，形成Ta膜；步骤三，在所述Ta膜表面进行Ni81Fe19膜和氮化钽膜的成膜；步骤四，对所述Ta膜、Ni81Fe19膜和氮化钽膜进行退火处理，从而形成各向异性磁电阻膜。本发明采用变化电流方式成膜形成的Ta缓冲层可以有效减少由于高功率溅射造成的晶体缺陷，并有效的提高Ni81Fe19薄膜的AMR效应。