发明授权
CN104616911B 一种垂直碳纳米管阵列/金属氧化物复合材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种垂直碳纳米管阵列/金属氧化物复合材料的制备方法
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申请号: CN201510053195.0申请日: 2015-02-02
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公开(公告)号: CN104616911B公开(公告)日: 2017-06-16
- 发明人: 赵斌 , 程俊业 , 杨俊和 , 张慧娟 , 唐志红 , 邱汉迅
- 申请人: 上海理工大学
- 申请人地址: 上海市杨浦区军工路516号
- 专利权人: 上海理工大学
- 当前专利权人: 上海理工大学
- 当前专利权人地址: 上海市杨浦区军工路516号
- 代理机构: 上海瑞泽律师事务所
- 代理商 宁芝华
- 主分类号: H01G11/36
- IPC分类号: H01G11/36 ; H01G11/46 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
一种垂直碳纳米管阵列/金属氧化物复合材料的制备方法,将金属有机化合物前驱体、助溶剂与碳纳米管阵列样品装入反应器,密封后通入超临界二氧化碳,并加热到预定温度进行浸渍处理;然后将样品置于氧化性气氛中进行低温热解,将金属有机化合物前驱体转化为金属氧化物,从而获得均匀负载有金属氧化物的碳纳米管阵列三维结构复合材料。本发明利用超临界二氧化碳的物理化学性质,实现了金属氧化物在宏观厚度(0.1mm‑10mm)VACNTs中的均匀复合;避免了液体表面张力对VACNTs结构的破坏,VACNTs的定向排列特征可以完美地保留;制备方法环保、操作简便,且有利于规模化制备。该复合材料在电化学储能、催化等领域有巨大应用价值。
公开/授权文献
- CN104616911A 一种垂直碳纳米管阵列/金属氧化物复合材料的制备方法 公开/授权日:2015-05-13