• 专利标题: 一种高比电容聚吡咯的制备方法
  • 申请号: CN201510086273.7
    申请日: 2015-02-21
  • 公开(公告)号: CN104672447B
    公开(公告)日: 2017-01-04
  • 发明人: 樊新杨哲伟刘铮
  • 申请人: 桂林理工大学
  • 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市建干路12号
  • 专利权人: 桂林理工大学
  • 当前专利权人: 桂林理工大学
  • 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市建干路12号
  • 主分类号: C08G73/06
  • IPC分类号: C08G73/06
一种高比电容聚吡咯的制备方法
摘要:
本发明公开了一种高比电容聚吡咯的制备方法。该方法以乙二酸(oxalic acid)为聚吡咯polypyrrole,简称PPy)的掺杂剂,过硫酸铵作为氧化引发剂,通过化学氧化聚合的方法合成聚吡咯。通过改变吡咯单体与乙二酸的含量,可以制备出不同形貌的聚吡咯,经过对比及优化方案,确定了当吡咯单体与乙二酸的摩尔比为1:3时,制备的聚吡咯(PPy1/3)具有最高的比电容,在0.2A/g 的电流密度的测试条件下,其比电容可达744.38 F/g。
公开/授权文献
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