本申请公开了一种n型LDMOS器件,在p型硅衬底中具有深n阱和轻掺杂p阱一。在深n阱中具有轻掺杂p阱二、重掺杂p阱二和重掺杂n阱二；在轻掺杂p阱二中具有重掺杂n阱一；在重掺杂p阱二中具有源极和体区引出区；在重掺杂n阱一中具有漏极；在重掺杂n阱二中具有保护环引出区；在部分的重掺杂p阱二、部分的轻掺杂p阱二和部分的重掺杂n阱一之上具有栅氧化层；在栅氧化层和紧邻的部分隔离结构四之上具有多晶硅栅极。在轻掺杂p阱一中具有环形的重掺杂p阱一；在重掺杂p阱一中具有衬底引出区。在硅材料的表面具有多个隔离结构。本申请能够提高n型LDMOS器件中的寄生PNP三极管的纵向穿通电压，而不改变衬底与深n阱之间的PN结的耐压。