Invention Grant
- Patent Title: 制造弯曲二次电池的方法
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Application No.: CN201410582506.8Application Date: 2014-10-27
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Publication No.: CN104681849BPublication Date: 2019-08-20
- Inventor: 韩俊喜 , 卞仁燮 , 崔光勋 , 朴溶均 , 罗承镐 , 郑真珠
- Applicant: 三星SDI株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星SDI株式会社
- Current Assignee: 三星SDI株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 弋桂芬
- Priority: 10-2013-0129565 2013.10.29 KR
- Main IPC: H01M10/04
- IPC: H01M10/04

Abstract:
本发明提供一种制造弯曲二次电池的方法,所述方法包括:制备平板状的二次电池,使得平板状的二次电池包括电极组件和容纳该电极组件的袋;初步成形该二次电池,使得该初步成形包括将平板状的二次电池布置在第一夹具中、以及挤压平板状的二次电池以形成初步成形的二次电池使得初步成形的二次电池具有第一曲率半径;二次成形该二次电池,使得二次成形包括将初步成形的二次电池布置在第二夹具中、以及挤压初步成形的二次电池以形成具有第二曲率半径的二次成形的二次电池;以及在二次成形的二次电池的形成之后在第二夹具中维持二次成形的二次电池预定时期。
Public/Granted literature
- CN104681849A 制造弯曲二次电池的方法 Public/Granted day:2015-06-03
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