发明授权
CN104685584B 用于构造磁共振成像超导磁体的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于构造磁共振成像超导磁体的方法
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申请号: CN201280076000.9申请日: 2012-11-23
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公开(公告)号: CN104685584B公开(公告)日: 2017-07-18
- 发明人: 张国庆 , 朱自安 , 赵玲 , 侯治龙 , 杨欢 , 周谨 , 马文彬 , 王克祥
- 申请人: 中国科学院高能物理研究所
- 申请人地址: 北京市石景山区玉泉路19号乙院
- 专利权人: 中国科学院高能物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院高能物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市石景山区玉泉路19号乙院
- 代理机构: 北京律智知识产权代理有限公司
- 代理商 王卫忠; 姜燕
- 国际申请: PCT/CN2012/085176 2012.11.23
- 国际公布: WO2014/079047 ZH 2014.05.30
- 进入国家日期: 2015-03-25
- 主分类号: H01F6/00
- IPC分类号: H01F6/00 ; H01F41/02 ; G01R33/3815
摘要:
一种用于构造磁共振成像超导磁体的方法,包括:确定超导线材、运行电流以及可行载流区;将可行载流区划分为多个矩形网格,对边界处矩形网格进行取整,调整可行载流区的边界并获取可行载流区的矩形网格数;以磁体的中心为原点,建立一坐标系,得到每个矩形网格中心的空间坐标;以用线量最少为优化目标,中心场强度、磁场均匀度及杂散场为约束条件,利用整数线性规划算法对可行载流区进行规划,得到磁体初始的导线的各集中分布区域;根据各集中分布区域对磁场均匀度的影响程度,按照对磁场均匀度的影响程度从大到小,以用线量最少为优化目标,中心场强度、磁场均匀度及杂散场为约束条件,利用整数线性规划算法对各集中分布区域进行矩形化;以及取得超导磁体线圈的参数。
公开/授权文献
- CN104685584A 用于构造磁共振成像超导磁体的方法 公开/授权日:2015-06-03