发明授权
- 专利标题： 碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法
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申请号： CN201510098787.4申请日： 2015-03-05
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公开(公告)号： CN104701405B公开(公告)日： 2017-05-17
- 发明人: 郭辉 , 梁佳博 , 蒋树庆 , 宋朝阳 , 张玉明
- 申请人： 西安电子科技大学 , 中国工程物理研究院核物理和化学研究所
- 申请人地址： 陕西省西安市太白南路2号;
- 专利权人： 西安电子科技大学,中国工程物理研究院核物理和化学研究所
- 当前专利权人： 西安电子科技大学,中国工程物理研究院核物理和化学研究所
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白南路2号;
- 代理机构： 陕西电子工业专利中心
- 代理商 王品华; 朱红星
- 主分类号： H01L31/103
- IPC分类号： H01L31/103 ; H01L31/0224 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。
公开/授权文献
- CN104701405A 碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法 公开/授权日：2015-06-10
IPC分类:
