发明公开
CN104716120A 半导体结构及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 半导体结构及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor structure and manufacturing method thereof
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申请号： CN201410020221.5申请日： 2014-01-16
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公开(公告)号： CN104716120A公开(公告)日： 2015-06-17
- 发明人: 郑世杰 , 卢东宝
- 申请人： 南茂科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路1号
- 专利权人： 南茂科技股份有限公司
- 当前专利权人： 南茂科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路1号
- 代理机构： 上海翰鸿律师事务所
- 代理商 李佳铭
- 优先权： 14/106,462 2013.12.13 US
- 主分类号： H01L23/498
- IPC分类号： H01L23/498 ; H01L21/48
摘要：
一种半导体结构包括：装置；在所述装置上方的导电衬垫；及安置在所述导电衬垫上的Ag1-xYx合金柱，其中所述Ag1-xYx合金的Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且其中所述Ag1-xYx合金的X在0.005至0.25的范围内。
IPC分类:
