- 专利标题: 在电极上设有导电体突出部的介质阻挡放电式的等离子产生电极结构
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申请号: CN201380037414.5申请日: 2013-06-27
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公开(公告)号: CN104756334B公开(公告)日: 2017-05-10
- 发明人: 孙熙植
- 申请人: SP技术有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: SP技术有限公司
- 当前专利权人: SP技术有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 中国商标专利事务所有限公司
- 代理商 宋义兴; 赵婷
- 优先权: 10-2012-0076391 20120713 KR
- 国际申请: PCT/KR2013/005706 2013.06.27
- 国际公布: WO2014/010851 KO 2014.01.16
- 进入国家日期: 2015-01-13
- 主分类号: H01T19/04
- IPC分类号: H01T19/04 ; H01T23/00
摘要:
本发明提供介质阻挡放电式等离子产生电极结构。本发明的电极结构包括:上部导电电极和下部导电电极;至少一个导电电极突出部,形成于所述上部导电电极和/或下部导电电极的至少一个表面上;电介质层,以大体上均匀的厚度形成于彼此相向设置的所述上部导电电极和下部导电电极至少一个内侧表面;特定的间隔(d),当所述上部导电电极和下部导电电极彼此紧密接触时,借助于所述导电电极突出部的突起效果,该间隔(d)形成于所述上部和下部导电电极与介电层之间或形成于彼此相向设置的介电层之间;在所述上部导电电极和下部导电电极上施加脉冲或交流电源以产生等离子。
公开/授权文献
- CN104756334A 在电极上设有导电体突出部的介质阻挡放电式的等离子产生电极结构 公开/授权日:2015-07-01