- 专利标题： 一种提高介质/金属/介质电极光学性能的方法
-
申请号： CN201510164428.4申请日： 2015-04-08
-
公开(公告)号： CN104766894B公开(公告)日： 2016-08-24
- 发明人: 方应翠 , 何金俊 , 张康 , 张冰
- 申请人： 合肥工业大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 专利权人： 合肥工业大学
- 当前专利权人： 合肥工业大学
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 代理机构： 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- 代理商 何梅生
- 主分类号： H01L31/0224
- IPC分类号： H01L31/0224 ; H01B5/14
摘要：
本发明公开了一种提高介质/金属/介质电极光学性能的方法，其特征是：在制备介质/金属/介质电极时，当依次完成底层介质薄膜和中间层金属薄膜的沉积后，先用氩等离子体辐照所述金属薄膜，然后再沉积上层介质薄膜。本发明通过氩等离子体辐照提高了介质/金属/介质电极的光学性能，使电极在导电性基本不变的情况下，光透过率得到明显提高；本发明的方法简单、易于实现。
公开/授权文献
- CN104766894A 一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法 公开/授权日：2015-07-08
IPC分类:
