本发明涉及一种宝石单晶生长控制方法，特别是涉及一种80‑150kg宝石单晶的自动生长控制方法。该方法解决了蓝宝石单晶生长在热场主降温区域不能随生长面主散热区域移动的问题。本发明利用二段式热场，设置上、下加热器功率降速比例因数R的起始值、结束值以及自动控制时间T，比例因数R会在设定的时间T内通过PLC计算控制满足方程R（T）=Acos（πT/600）+B，由R1逐渐转变至R2。本方法通过自动控制上、下加热器功率降速比例因数R，调节热场的主要散热温区，可完美配合晶体生长面的移动，同时调节温度梯度更适合晶体生长，使得晶体产出量高，晶体良率高，由于主要散热温区一直配合着结晶潜热生成区域，使得散热顺利，大幅降低生长周期。