发明授权
CN104798208B 在碳纳米管的定向阵列上形成的多层涂层
失效 - 权利终止
- 专利标题: 在碳纳米管的定向阵列上形成的多层涂层
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申请号: CN201380060639.2申请日: 2013-10-21
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公开(公告)号: CN104798208B公开(公告)日: 2018-07-10
- 发明人: B·蔻拉 , A·夏尔 , V·辛格
- 申请人: 佐治亚科技研究公司
- 申请人地址: 美国佐治亚州
- 专利权人: 佐治亚科技研究公司
- 当前专利权人: 佐治亚科技研究公司
- 当前专利权人地址: 美国佐治亚州
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 王涛
- 优先权: 61/716,101 2012.10.19 US
- 国际申请: PCT/US2013/065918 2013.10.21
- 国际公布: WO2014/063149 EN 2014.04.24
- 进入国家日期: 2015-05-20
- 主分类号: H01L31/00
- IPC分类号: H01L31/00 ; H01L31/18 ; H01L51/42
摘要:
本文描述了含有碳纳米结构‑氧化物‑金属二极管,诸如碳纳米管(CNT)‑氧化物‑金属二极管的阵列,以及其制造和使用方法。在一些实施方案中,所述阵列含有垂直定向的碳纳米结构,诸如用介电层的保形涂层(如金属氧化物)涂布的多壁碳纳米管(MWCNT)。碳纳米结构的尖端用诸如钙或铝的低逸出功金属涂布以在尖端处形成纳米结构‑氧化物‑金属界面。所述阵列由于其固有的低电容可以在高达约40皮赫的频率下用作整流天线。本文所描述的阵列在低至0.3V的低开启电压和高达约7800mA/cm2的大电流密度以及至少约10、15、20、25、30、35、40、45、50、55或60的整流比下产生高度不对称性和非线性。
公开/授权文献
- CN104798208A 在碳纳米管的定向阵列上形成的多层涂层 公开/授权日:2015-07-22
IPC分类: