Invention Grant
CN104841423B 一种三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料及其合成方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料及其合成方法
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Application No.: CN201510162223.2Application Date: 2015-04-08
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Publication No.: CN104841423BPublication Date: 2017-03-29
- Inventor: 梁砚琴 , 李彬彬 , 崔振铎 , 杨贤金 , 朱胜利 , 李朝阳
- Applicant: 天津大学
- Applicant Address: 天津市南开区卫津路92号
- Assignee: 天津大学
- Current Assignee: 天津大学
- Current Assignee Address: 天津市南开区卫津路92号
- Agency: 天津创智天诚知识产权代理事务所
- Agent 王秀奎
- Main IPC: B01J23/652
- IPC: B01J23/652 ; B01J35/10
Abstract:
本发明公开一种三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料及其合成方法，二氧化钼与钯的质量比为20:(0.06-0.6)，二氧化钼的孔径为200—400nm，钯颗粒为5—10nm，利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构，在三维大孔二氧化钼结构上进行钯颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有电催化性能。
Public/Granted literature
- CN104841423A 一种三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料及其合成方法 Public/Granted day:2015-08-19
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