发明授权
CN104841445B 一种三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料及其合成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料及其合成方法
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申请号： CN201510163322.2申请日： 2015-04-08
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公开(公告)号： CN104841445B公开(公告)日： 2017-03-15
- 发明人: 梁砚琴 , 李彬彬 , 崔振铎 , 杨贤金 , 朱胜利 , 李朝阳
- 申请人： 天津大学
- 申请人地址： 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人： 天津大学
- 当前专利权人： 天津大学
- 当前专利权人地址： 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构： 天津创智天诚知识产权代理事务所
- 代理商 王秀奎
- 主分类号： B01J23/882
- IPC分类号： B01J23/882 ; B01J35/10
摘要：
本发明公开一种三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料及其合成方法，二氧化钼与氧化钴的质量比为9:(0.4-2)，二氧化钼的孔径为200—400nm，氧化钴颗粒为5—10nm，利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构，在三维大孔二氧化钼结构上进行氧化钴颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有阳极电催化性能。
公开/授权文献
- CN104841445A 一种三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料及其合成方法 公开/授权日：2015-08-19
