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发明授权
CN104854766B 半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置 有权 转让

  • 专利标题： 半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置
  • 申请号： CN201480003304.1
    申请日： 2014-08-27
  • 公开(公告)号： CN104854766B
    公开(公告)日： 2018-01-26
  • 发明人: 谷健太郎 , 川上俊之 , 有吉章
  • 申请人： 夏普株式会社
  • 申请人地址： 日本国大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号
  • 专利权人： 夏普株式会社
  • 当前专利权人： 夏普福山激光株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本国大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号
  • 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
  • 代理商 吴秋明
  • 优先权： 2013-240971 2013.11.21 JP
  • 国际申请： PCT/JP2014/072414 2014.08.27
  • 国际公布： WO2015/075988 JA 2015.05.28
  • 进入国家日期： 2015-06-02
  • 主分类号： H01S5/022
  • IPC分类号： H01S5/022
半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置
摘要：
半导体激光元件(40)具备：由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。
摘要（英）：

A semiconductor laser element is provided with: a substrate formed of a semiconductor; a semiconductor laminated film, which is laminated on the substrate, and which includes an active layer; a first electrode and a second electrode, which are provided on surfaces parallel to the active layer on the side where the semiconductor laminated film is formed on the substrate; and a facet protection film that is provided on both the facets, which are perpendicular to the active layer, and which face each other. In the semiconductor laser element, the facet is used as a fixing surface for the semiconductor laser element, said facet having the facet protection film formed thereon.

公开/授权文献
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