Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件
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Application No.: CN201410357407.XApplication Date: 2014-07-24
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Publication No.: CN104882431BPublication Date: 2019-08-27
- Inventor: 有留诚一
- Applicant: 爱思开海力士有限公司
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 爱思开海力士有限公司
- Current Assignee: 爱思开海力士有限公司
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京弘权知识产权代理事务所
- Agent 俞波; 周晓雨
- Priority: 10-2014-0023437 2014.02.27 KR
- Main IPC: H01L23/525
- IPC: H01L23/525 ; H01L23/532 ; H01L23/488 ; H01L23/48 ; H01L25/065 ; H01L21/768 ; G11C5/06 ; G11C5/02
Abstract:
一种半导体器件包括:操作电路,其形成在半导体衬底的顶表面上;存储器阵列,其形成在操作电路之上;内焊盘组,其形成在操作电路和存储器阵列之间的中间层上,且与操作电路耦接;第一外焊盘组,其形成在半导体衬底的底表面上;以及接线结构,其穿过半导体衬底,且将内焊盘组与第一外焊盘组耦接。
Public/Granted literature
- CN104882431A 半导体器件 Public/Granted day:2015-09-02
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IPC分类: