- 专利标题: 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置
-
申请号: CN201510249298.4申请日: 2015-05-15
-
公开(公告)号: CN104882487B公开(公告)日: 2017-12-08
- 发明人: 王劭颛
- 申请人: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市新站区工业园内
- 专利权人: 合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市新站区工业园内
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 彭瑞欣; 陈源
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L27/12 ; H01L21/77
摘要:
本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置。所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、第一极和第二极,所述第一极设置在所述有源层一侧,所述第二极设置在所述有源层另一侧,所述第一极、所述有源层和所述第二极形成堆叠结构,所述栅极环绕所述堆叠结构设置,且所述栅极和所述堆叠结构绝缘间隔。本发明的薄膜晶体管在所占面积一定的情况下增大导电沟道的宽度,从而在不影响显示面板开口率的情况下增大饱和区漏电流,进而提高薄膜晶体管和阵列基板的性能,改善显示装置的显示效果。
公开/授权文献
- CN104882487A 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置 公开/授权日:2015-09-02
IPC分类: