发明授权
- 专利标题: 用于增强互连的抗断裂性的技术
-
申请号: CN201480003746.6申请日: 2014-01-16
-
公开(公告)号: CN104885200B公开(公告)日: 2017-07-14
- 发明人: C·J·杰泽斯基 , M·J·科布林斯基 , D·潘图索 , S·B·宾加德 , M·P·奥戴
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 王英
- 优先权: 13/753,245 20130129 US
- 国际申请: PCT/US2014/011858 2014.01.16
- 国际公布: WO2014/120459 EN 2014.08.07
- 进入国家日期: 2015-06-26
- 主分类号: H01L21/28
- IPC分类号: H01L21/28
摘要:
公开了用于通过增加过孔密度来增强后端互连以及其它这种互连结构的抗断裂性的技术和结构。可以例如在管芯内的相邻电路层的填充物/虚设部分内提供增加的过孔密度。在一些情况下,上部电路层的电隔离的(浮置)填充物线可包括过孔,所述过孔着陆到在与所述填充物线跨越/交叉的位置处相对应的区域中的下部电路层的浮置填充物线上。在一些这种情况下,所述上部电路层的所述浮置填充物线可形成为包括该过孔的双镶嵌结构。在一些实施例中,过孔类似地可提供在所述上部电路层的浮置填充物线与所述下部电路层的充分电隔离的互连线之间。所述技术/结构可用于为所述管芯提供机械完整性。
公开/授权文献
- CN104885200A 用于增强互连的抗断裂性的技术 公开/授权日:2015-09-02
IPC分类: