发明授权
- 专利标题: 一种化学机械研磨的方法
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申请号: CN201410093053.2申请日: 2014-03-13
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公开(公告)号: CN104916536B公开(公告)日: 2018-09-21
- 发明人: 张静
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京市磐华律师事务所
- 代理商 董巍; 高伟
- 主分类号: H01L21/321
- IPC分类号: H01L21/321 ; B24B37/04
摘要:
本发明公开了一种化学机械研磨的方法,包括步骤(a)提供晶圆;步骤(b)在所述晶圆的表面上提供研磨液,并先后执行高下压力研磨步骤和第一低下压力研磨步骤;步骤(c)执行主清洗步骤,以去除部分所述研磨液和残留物,并使剩余的研磨液分布均匀;步骤(d)执行第二低下压力研磨步骤,在该步骤中不再涂覆研磨液,通过研磨去除所述晶圆上的缺陷同时去除剩余的所述研磨液。在本发明中通过添加主清洗步骤,以使在高下压力研磨、低下压力研磨之后所述晶圆具有较为平整的表面,最后执行的低下压力研磨步骤不仅可以去除晶圆上残留的研磨液,还可解决研磨液残留的问题,彻底的清洗晶圆,以进一步提高晶圆的良率。
公开/授权文献
- CN104916536A 一种化学机械研磨的方法 公开/授权日:2015-09-16
IPC分类: