Invention Grant
CN104935328B 硅基低漏电流双固支梁可动栅分频器
失效 - 权利终止
- Patent Title: 硅基低漏电流双固支梁可动栅分频器
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Application No.: CN201510379719.5Application Date: 2015-07-01
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Publication No.: CN104935328BPublication Date: 2017-06-30
- Inventor: 廖小平 , 韩居正
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Agency: 南京瑞弘专利商标事务所
- Agent 杨晓玲
- Main IPC: H03K23/00
- IPC: H03K23/00
Abstract:
本发明的硅基低漏电流双固支梁可动栅MOSFET分频器,由硅衬底,N型增强型MOSFET,以及外接的低通滤波器,压控振荡器,乘法器、高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的固支梁,作为参考信号和反馈信号的输入,下拉电压设计为MOSFET的阈值电压,由直流偏置控制。两个固支梁可动栅均悬浮时,栅极不与栅氧化层接触,MOSFET截止,能减小栅极漏电流,降低功耗。两个固支梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时,MOSFET导通,参考信号和反馈信号经MOSFET相乘,通过外接低通滤波器、压控振荡器以及乘法器的循环反馈得到参考频率的分频信号。下拉单个固支梁可动栅,可实现对单个信号的放大,使电路具有多功能。本发明降低功耗,体积更小,实现多功能。
Public/Granted literature
- CN104935328A 硅基低漏电流双固支梁可动栅分频器 Public/Granted day:2015-09-23
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