本发明的砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅HEMT锁相环电路，由GaAs衬底，增强型HEMT，以及外接的低通滤波器，压控振荡器，高频扼流圈构成。悬臂梁开关通过直流偏置控制，下拉电压设计为HEMT的阈值电压。当两个悬臂梁开关均悬浮断开时，栅电压为0，HEMT截止，能够减小栅极漏电流，降低功耗。当两个悬臂梁开关过直流偏置下拉闭合时，栅电压即为直流偏置，形成二维电子气沟道，HEMT导通，参考信号和反馈信号通过HEMT相乘，漏极输出信号经低通滤波器和压控振荡器循环反馈作用，最终达到锁定。只有一个悬臂梁开关下拉闭合时，可实现对单个信号的放大，使电路具有多功能。本发明提高效率，降低功耗，体积更小，且实现多功能。