本发明提供一种MEMS器件的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一半导体基底，所述半导体基底表面预先划分有用于后续制作MEMS敏感结构的MEMS区域；S2：在所述半导体基底上形成第一SiGe层；S3：在位于非MEMS区域的第一SiGe层表面形成若干凹槽，并在所述凹槽内填充塑性材料，形成塑性填充块；S4：去除所述凹槽外多余的塑性材料，然后在所述第一SiGe层表面形成一覆盖所述塑性填充块的第二SiGe层；S5：以位于所述MEMS区域的第一SiGe层及第二SiGe层作为结构材料制作MEMS敏感结构。本发明在SiGe层中加入塑性填充块，利用该塑性填充块的塑性变形能力，吸收SiGe层中的应力，有效防止了SiGe层发生剥离的现象。且塑性填充块位于非MEMS区域，不会对器件的功能产生影响。