Invention Grant
- Patent Title: 定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料的制备方法
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Application No.: CN201510271377.5Application Date: 2015-05-25
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Publication No.: CN104962771BPublication Date: 2017-04-26
- Inventor: 史忠旗 , 张阔 , 杨少辉 , 夏鸿雁 , 王继平 , 乔冠军 , 王红洁 , 杨建锋
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 咸阳瞪羚谷新材料科技有限公司
- Current Assignee Address: 712046 陕西省咸阳市高新技术产业开发区高科二路孵化园7号楼2层
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 朱海临
- Main IPC: C22C1/08
- IPC: C22C1/08 ; C22C21/00 ; C22C32/00 ; C22C30/00 ; C22C29/06
Abstract:
本发明公开了一种定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料及制备方法,该复合材料由SiC陶瓷相、金刚石颗粒相和Al金属相组成;其制备方法由①定向多孔SiC陶瓷的制备、②在金刚石颗粒表面涂覆WC涂层、③金刚石颗粒在多孔SiC陶瓷定向孔隙中的填充及④Al自发熔渗入填充有金刚石颗粒的定向孔中四个步骤完成。采用本发明方法制备的定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料,其在平行于定向孔方向具有很高的热导率,能将半导体产生的热量及时传递给热沉而散除;其在垂直于定向孔方向(半导体器件所在的平面)能获得与封装基板相匹配的热膨胀系数,从而减小封装材料与半导体器件之间的热应力,提高半导体工作效率和使用寿命。
Public/Granted literature
- CN104962771A 定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料及制备方法 Public/Granted day:2015-10-07
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