发明公开
CN104985738A 聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of polyvinylidene fluoride matrix composite material
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申请号: CN201510350009.X申请日: 2015-06-23
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公开(公告)号: CN104985738A公开(公告)日: 2015-10-21
- 发明人: 迟庆国 , 马涛 , 高亮 , 刘刚 , 王暄 , 雷清泉
- 申请人: 哈尔滨理工大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 专利权人: 哈尔滨理工大学
- 当前专利权人: 哈尔滨理工大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 侯静
- 主分类号: B29C43/02
- IPC分类号: B29C43/02 ; B29C71/00 ; B29B15/08 ; C08L27/18 ; C08K9/04 ; C08K9/02 ; C08K3/22
摘要:
聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法,它涉及一种复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有在低体积浓度(≤10%)陶瓷类填料下聚偏氟乙烯基复合材料介电常数不高的技术问题。本方法如下:一、晶化处理;二、施镀;三、熔融共混;四、磁化处理。本发明选用负载Ni壳的钛酸铜钙为填料,以PVDF为基体,在低体积浓度(≤10%)填加量下采用熔融共混-热压成型工艺,结合磁化处理手段,制备得磁化的PVDF/CaCu3Ti4O12@Ni复合材料,其介电常数高达12000~18000,并且该材料能保持聚合物基体所具有的优良机械性能。本发明属于复合材料的制备领域。
公开/授权文献
- CN104985738B 聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 公开/授权日:2017-05-03