发明授权
CN104992841B 一种染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极的制备方法
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申请号: CN201510394828.4申请日: 2015-07-07
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公开(公告)号: CN104992841B公开(公告)日: 2017-12-01
- 发明人: 何青泉 , 宰建陶 , 钱雪峰 , 黄守双 , 李晓敏 , 李波 , 王敏 , 刘雪娇 , 刘园园
- 申请人: 上海交通大学
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 陈亮
- 主分类号: H01G9/20
- IPC分类号: H01G9/20 ; H01G9/042
摘要:
本发明涉及一种染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极的制备方法,包括:制备Ag8GeS6纳米晶;将Ag8GeS6纳米晶溶于溶剂中,经超声分散处理得到Ag8GeS6纳米晶墨水;将Ag8GeS6纳米晶墨水涂覆于基底上,对基底进行热处理,制得染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极。与现有技术相比,本发明的方法避免了设备昂贵、不易于大面积沉积等缺点,具有设备要求简单,适合工业化大规模生产等优点,同时该方法为制备其他材料的染料敏化太阳能电池对电极提供了可以借鉴的思路。
公开/授权文献
- CN104992841A 一种染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极的制备方法 公开/授权日:2015-10-21