发明授权
- 专利标题: 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板
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申请号: CN201510394548.3申请日: 2015-07-07
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公开(公告)号: CN104992985B公开(公告)日: 2018-08-21
- 发明人: 卢马才
- 申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
- 专利权人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 当前专利权人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
- 代理机构: 北京聿宏知识产权代理有限公司
- 代理商 朱绘; 张文娟
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786
摘要:
一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板,在薄膜晶体管的有源层沟道区域形成相互独立的纳米导电点,使有源层沟道区域被分成多个相互独立的子沟道,从而增加了等效电场强度。等效电场强度越大,载流子迁移率越大。因此,形成的薄膜晶体管的开态电流就越大,有利于制造具有更高解析度和更高开口率的薄膜晶体管。
公开/授权文献
- CN104992985A 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板 公开/授权日:2015-10-21
IPC分类: