相变化存储装置及其制造方法

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摘要：

一种相变化存储装置及制造方法是部分移除导电材料以使加热器的内径往相变化材料端逐渐缩小，进而使加热器与相变化材料间的接触面积较小。依据此结构，以较小的电流即能够改变小范围相变化材料的结晶态，因此可降低装置的功耗，且可避免产生空洞的缺陷以提升装置的可靠度。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L45/00	无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L39/00；压电器件入H01L41/00；体负阻效应器件入H01L47/00）