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发明公开
CN105000593A 一种从低品位锑矿中制取锑掺杂二氧化锡纳米导电粉的方法 无效 - 撤回

  • 专利标题： 一种从低品位锑矿中制取锑掺杂二氧化锡纳米导电粉的方法
  • 专利标题（英）： Method for preparing antimony doped nanometer tin oxide conductive powder from low-grade antimony ore
  • 申请号： CN201510416906.6
    申请日： 2015-07-14
  • 公开(公告)号： CN105000593A
    公开(公告)日： 2015-10-28
  • 发明人: 吕耀辉 , 张伟 , 冉松林 , 檀杰
  • 申请人： 安徽工业大学
  • 申请人地址： 安徽省马鞍山市花山区湖东中路59号
  • 专利权人： 安徽工业大学
  • 当前专利权人： 安徽工业大学
  • 当前专利权人地址： 安徽省马鞍山市花山区湖东中路59号
  • 代理机构： 南京知识律师事务所
  • 代理商 蒋海军
  • 主分类号： C01G19/02
  • IPC分类号： C01G19/02 ;  B82Y30/00
一种从低品位锑矿中制取锑掺杂二氧化锡纳米导电粉的方法
摘要：
本发明公开了一种从低品位锑矿中制取锑掺杂二氧化锡纳米导电粉的方法，属于冶金化工技术领域。该方法首先从低品位锑矿中提取锑，获得三氯化锑溶液，然后加入无水四氯化锡溶液，采用共沉淀的方法制取高纯度的锑掺杂二氧化锡纳米导电粉。该方法工艺可靠、投资少、效益高、有价金属回收率高，是一种较理想的利用锑矿制取ATO纳米导电粉的方法。
摘要（英）：

The present invention discloses a method for preparing antimony doped nanometer tin oxide conductive powder from low-grade antimony ore, pertaining to the field of metallurgical and chemical technologies. According to the preparation method, firstly antimony is extracted from low-grade antimony ore; an antimony trichloride solution is obtained; then an anhydrous tin tetrachloride solution is added; and highly purified antimony doped nanometer tin oxide conductive powder is prepared by using a coprecipitation method. The preparation method provided by the invention is reliable in process, low in investment, high in efficiency, high in valuable metal recovery rate, and is a fairly ideal method for preparing nanometre ATO conductive powder from antimony ore.

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