发明公开
CN105024648A 硅基低漏电流悬臂梁场效应晶体管混频器
失效 - 权利终止
- 专利标题: 硅基低漏电流悬臂梁场效应晶体管混频器
- 专利标题(英): Silicon-based low-leakage-current frequency mixer with cantilever field effect tubes
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申请号: CN201510378147.9申请日: 2015-07-01
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公开(公告)号: CN105024648A公开(公告)日: 2015-11-04
- 发明人: 廖小平 , 陈子龙
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 代理机构: 南京瑞弘专利商标事务所
- 代理商 杨晓玲
- 主分类号: H03D7/16
- IPC分类号: H03D7/16
摘要:
本发明是提供一种硅基低漏电流悬臂梁场效应晶体管混频器,用两个悬臂梁栅NMOS管组成的差分对代替传统混频器中的常规NMOS差分对,用一个具有MEMS悬臂梁开关的NMOS管代替传统混频器中的位于差分对下方的常规NMOS管,减小混频器中晶体管的栅极漏电流,降低电路的功耗,且该混频器体积小易于集成,并且本发明的混频器中位于悬臂梁栅NMOS管差分对下方的悬臂梁开关NMOS管,如果只在其悬臂梁开关上加直流电压,那么在直流电压的作用下悬臂梁开关下拉接触到该NMOS管的栅极,并使该NMOS管导通,此时可以认为这个NMOS管是一个恒流源,那么此时该混频器就可以作为差分放大器使用,使本发明利用同样数量的晶体管实现两种不同的功能。
公开/授权文献
- CN105024648B 硅基低漏电流悬臂梁场效应晶体管混频器 公开/授权日:2017-11-28
IPC分类: