发明授权
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN201480011870.7申请日: 2014-07-08
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公开(公告)号: CN105027276B公开(公告)日: 2018-03-06
- 发明人: 稻叶哲也
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县川崎市
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县川崎市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 韩明星; 金玉兰
- 优先权: 2013-159424 2013.07.31 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/068174 2014.07.08
- 国际公布: WO2015/016017 JA 2015.02.05
- 进入国家日期: 2015-09-01
- 主分类号: H01L23/12
- IPC分类号: H01L23/12 ; H01L23/28 ; H01L23/48 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要:
提供一种组装工序少、制造成本低、可靠性高、小型的半导体装置。通过在陶瓷壳体(11)的腔体(9、10)容纳半导体芯片(2)和导电板(1),从而能够减小功率半导体装置(100)的占有面积,另外,通过使端子(6、7、8)埋设于陶瓷壳体(11),将端子(6、7、8)连接于半导体芯片(2)、导电板(1),从而能够减薄功率半导体装置(100)的厚度。
公开/授权文献
- CN105027276A 半导体装置 公开/授权日:2015-11-04
IPC分类: