本发明提供一种材料的选择余地比以往更大、由此能够容易地得到具有目标的峰值波长的光的热辐射光源。热辐射光源(10)具备热－光转换器，该热－光转换器具有在由本征半导体形成的构件(11)上以同波长比与该本征半导体的带隙相对应的波长短的光共振的方式形成有折射率分布的光学结构。在从外部向热－光转换器供给热时，由于本征半导体的带间吸收而产生在比截止波长短的波段中具有光谱的发光，该波段中的、在光学结构中共振的共振波长(λr)的光被选择性地加强，作为热辐射光而发光。在本发明中，采用材料的选择余地较大的本征半导体，因此能够容易地得到产生具有目标的峰值波长的窄频带的光的热辐射光源。