- 专利标题: 具有多孔结构阻挡层CuW/Al双金属材料的制备方法
- 专利标题(英): Preparing method for CuW/Al bimetallic material of porous structure blocking layer
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申请号: CN201510401419.2申请日: 2015-07-09
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公开(公告)号: CN105033226A公开(公告)日: 2015-11-11
- 发明人: 梁淑华 , 金艳婷 , 邹军涛 , 姜伊辉 , 王婵
- 申请人: 西安理工大学
- 申请人地址: 陕西省西安市金花南路5号
- 专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市金花南路5号
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 李娜
- 主分类号: B22D19/00
- IPC分类号: B22D19/00 ; C23C18/36 ; C23C18/18
摘要:
本发明公开了具有多孔结构阻挡层CuW/Al双金属材料的制备方法,在预处理后的CuW合金表面制备镍扩散阻挡层;对铝块表面进行洁净处理使其表面平整、洁净、无氧化物,备用;将铝块与具有镍扩散阻挡层的CuW合金熔接进行熔接后,即得CuW/Al双金属材料。本发明对CuW合金表面进行预处理,使其表面形成高度为100-200μm的W骨架,并在W骨架上添加镍扩散阻挡层,一方面增加了铝与扩散阻挡层的结合面积,有利于提高界面的结合强度;另一方面,Ni与Al、W元素仅通过互扩散形成固溶体,有效抑制了CuW/Al界面扩散溶解层中脆性金属间化合物Al2Cu的生成,提高了界面可控性。
公开/授权文献
- CN105033226B 具有多孔结构阻挡层CuW/Al双金属材料的制备方法 公开/授权日:2017-01-25