- 专利标题: 一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统
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申请号: CN201510394163.7申请日: 2015-07-07
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公开(公告)号: CN105044584B公开(公告)日: 2018-01-26
- 发明人: 石将建 , 孟庆波
- 申请人: 中国科学院物理研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南三街八号
- 专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南三街八号
- 代理机构: 北京智汇东方知识产权代理事务所
- 代理商 范晓斌; 康正德
- 优先权: 201510388365.0 2015.07.03 CN
- 主分类号: G01R31/265
- IPC分类号: G01R31/265 ; H02S50/10
摘要:
本发明提供了一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统,包括:电流回路,待检测的半导体器件连接在所述电流回路中;脉冲激光器,用于向待检测的半导体器件周期性地施加激光脉冲,以在半导体器件处形成光生电荷;其中,光生电荷在电流回路中传输以形成瞬态光生电流;设置在电流回路中并与半导体器件串联的采样电阻;与采样电阻并联的电压信号采集器,用于采集采样电阻的两端的电压差信号;与半导体器件并联的电压源,用于向所述半导体器件提供周期性变化的调制电压;与电压源串联的电流隔离器,用于阻止瞬态光生电流或其高频部分流经电压源。本发明的系统能够准确地探测瞬态光生电流,并适用于检测半导体器件内很慢的电荷响应过程。
公开/授权文献
- CN105044584A 一种用于检测半导体器件的电荷及电场响应的系统 公开/授权日:2015-11-11