Invention Grant
CN105047505B 微结构增强反射式光阴极的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 微结构增强反射式光阴极的制备方法
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Application No.: CN201510279955.XApplication Date: 2015-05-27
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Publication No.: CN105047505BPublication Date: 2017-05-17
- Inventor: 樊龙 , 邓博 , 曹柱荣
- Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- Applicant Address: 四川省绵阳市绵山路64号919信箱986分箱
- Assignee: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- Current Assignee: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- Current Assignee Address: 四川省绵阳市绵山路64号919信箱986分箱
- Agency: 上海科盛知识产权代理有限公司
- Agent 杨元焱
- Main IPC: H01J9/12
- IPC: H01J9/12
Abstract:
一种微结构增强反射式光阴极的制备方法,该方法采用酸、碱溶液对微通道板进行交替处理,获得表面具有倒圆锥后凹式微结构阵列的微结构增强基底,再采用物理气相沉积法在微结构增强基底表面依次镀制电极层和光电发射层,制得微结构增强反射式光阴极。通过该方法获得的微结构增强反射式光阴极可大幅度提高光阴极的量子效率和对微弱信号的探测能力,光电发射均匀性和稳定性好,适用于空间分辨的大尺度光电发射面应用,该方法还具有工艺流程简单、成本低廉等优点。
Public/Granted literature
- CN105047505A 微结构增强反射式光阴极的制备方法 Public/Granted day:2015-11-11
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