Invention Grant
CN105047940B 一种碳纳米管薄膜的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种碳纳米管薄膜的制备方法
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Application No.: CN201510330909.8Application Date: 2015-06-16
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Publication No.: CN105047940BPublication Date: 2018-06-08
- Inventor: 孙晓刚 , 吴小勇 , 庞志鹏 , 岳立福 , 聂艳艳 , 刘珍红
- Applicant: 南昌大学
- Applicant Address: 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
- Assignee: 南昌大学
- Current Assignee: 南昌大学
- Current Assignee Address: 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
- Agency: 南昌新天下专利商标代理有限公司
- Agent 施秀瑾
- Main IPC: H01M4/66
- IPC: H01M4/66 ; H01M4/1393 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00

Abstract:
一种碳纳米管薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将碳纳米管置于石墨化炉中,抽真空且升温至2800℃以上,保温一段时间后冷却至室温;(2)以步骤(1)的碳纳米管、分散剂、粘结剂和N‑甲基吡咯烷酮溶液为原料,经过超声、高速剪切或球磨等,制备碳纳米管悬浊液;(3)将步骤(2)的碳纳米管悬浊液滴加在平铺的基底上,65℃烘干,分离基底;(4)将步骤(3)的碳纳米管薄膜置于真空炉内随炉升温至1300‑1500℃碳化,保温0.5‑2h,冷却至室温取出。本发明所制备的碳纳米管薄膜厚度在10‑20μm左右,较容易分离基底;经高温碳化改性,具有更好的使用性能;在锂离子电池中,可代替铝箔铜箔作为集流体,也可单独作为负极,具有较高的初始比容量。
Public/Granted literature
- CN105047940A 一种碳纳米管薄膜的制备方法 Public/Granted day:2015-11-11
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